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Memoria de cambio de fase: Un nuevo paradigma en almacenamiento

Thu, Dec 14, 2006

Hardware

El nuevo tipo de memoria podría sustituir en el futuro al almacenamiento basado en memoria flash y a los discos duros. En pocos días se revelará lo que podría representar a futuro el fin de muchas de las tecnologías actuales de grabación de información, y va en la misma dirección que apunta el concepto de memoria flash.
En la International Electronic Devices Meeting (Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos) a realizarse en San Francisco esta semana las empresas IBM, Macronix y Qimond darán los detalles de la llamada “Memoria de Cambio de Fase”, que según sus creadores promete ser entre 500 y 1000 veces más rápida que la memoria flash tradicional y sólo necesita la mitad de la electricidad para funcionar. Dichas empresas han creado un prototipo que funciona 500 veces más rápido en comparación con la memoria flash actual, al tiempo que se emplea la mitad de energía para escribir la información en la celda de memoria.

Los circuitos del dispositivo son mucho más pequeños que los utilizados en las memorias flash, con un tamaño de tan sólo 2 x 20 nanómetros, demostrando que, al contrario de lo que ocurre con la memoria flash, la memoria de cambio de fase se podrá emplear con las técnicas y sistemas de producción avanzados que estarán disponibles en torno a 2015. Este progreso se debe en parte al desarrollo de un nuevo material que permite crear los chips de memoria; se trata de una aleación de germanio sobre la que los investigadores añaden otros elementos para mejorar sus propiedades. Las empresas involucradas en este desarrollo han solicitado una patente sobre dicho material.
Los chips podrían constituir un nuevo tipo de memoria no volátil, que puede mantener su carga eléctrica y por tanto los datos almacenados, incluso una vez apagado el dispositivo. La memoria flash también es de tipo no volátil, pero la memoria de cambio de fase puede mantener y utilizar su carga eléctrica con mayor eficacia. La memoria flash también se enfrenta a un punto muerto. A medida que los ingenieros reducen el tamaño de los chips de los circuitos, los circuitos también hacen un peor uso de la energía reduciendo su capacidad para almacenar los datos una vez se han apagado. Parece que el límite se encuentra en torno a los 45nm, si bien aún restan unos cuantos años antes de que la industria de la memoria flash comience a utilizar estas tecnologías de producción.

La memoria de cambio de fase puede reducirse hasta los 22nm; también parece ser que será más duradera que la memoria flash, cuyas celdas comienzan a perder cualidades después de las 100.000 escrituras. Spike Narayan, gerente general de IBM, afirma que esta tecnología permitirá finalmente reemplazar a los discos duros tradicionales y pavimentar el camino para desarrollar computadores que se enciendan y estén listos para ser utilizados de manera instantánea.
Evidentemente esta tecnología también podría tener repercusiones enormes en el mercado de la electrónica de consumo, en el que las velocidades de transferencia y el consumo energético juegan un rol fundamental.

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